电子元器件基础知识大全电子元器件采购基本知识-Ameya360电子元器件采购网

<span style='color:red'>ROHM</span>：云端精讲！车载应用产品解析

行业新闻

ROHM：云端精讲！车载应用产品解析

　罗姆的产品体系丰富全面，涵盖小信号、低压及高压MOSFET等多种类型，能够精准匹配并满足不同市场的多样化需求，其应用场景广泛，涉及工控、光伏以及车载等关键领域。　　本次将重点为大家介绍罗姆专为汽车应用打造的低压MOSFET与高压IGBT产品。扫描海报二维码即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　研讨会概要　　- MOSFET系列产品　　1. 封装技术发展及介绍　　2. 产品阵容及封装优势　　3. 全球化生产及产能布局　　- IGBT系列产品　　1. 产品发展路线图　　2. 产品阵容及封装优势　　研讨会主题　　车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT　　研讨会时间　　2026年11月18日上午10点　　研讨会讲师倪敏(高级经理)　　2010年加入罗姆，现任罗姆半导体(上海)有限公司中国技术中心高级经理。统管中国华东区车载功率器件的技术支持团队。　　多年来负责中国区大客户的技术支持和应用解决方案提供，并在车载市场，有着丰富经验。特别对功率器件相关行业有深入了解和独特见解，曾多次在各种电子行业大型展会以及专业技术研讨会上发表技术报告。2021年6月Bodo's功率系统封面故事中发表《Hybrid IGBT在图腾柱PFC中的应用》。　　官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-11-05 10:13 阅读量：210 继续阅读>>

AMEYA360代理丨<span style='color:red'>ROHM</span> IGBT基础篇：什么是IGBT—应用范围、应用示例、结构、工作原理以及其特点

行业新闻

AMEYA360代理丨ROHM IGBT基础篇：什么是IGBT—应用范围、应用示例、结构、工作原理以及其特点

　　AMEYA360 作为 ROHM 官方授权代理，深耕功率半导体赛道，可为客户提供罗姆全系列 IGBT、SiC 器件、MOSFET 等功率产品的原厂选型指导、样品申请以及长期稳定的供应链保障。IGBT 是电力电子领域里举足轻重的核心功率器件，广泛扎根于新能源汽车、光伏储能、工业变频、家电逆变、轨道交通等高电压、大功率场景，很多工程师在方案设计阶段都会优先对比 IGBT、MOSFET、双极晶体管之间的差异与取舍。接下来，我们就从定义、引脚、原理、器件对比、应用边界等维度，带大家系统认识这款经典功率器件 ——IGBT。　　什么是IGBT　　IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写，中文名称是“绝缘栅双极晶体管”。通过结合MOSFET和双极晶体管，IGBT成为同时具备这两种器件优点的功率晶体管。IGBT有N沟道型和P沟道型两种，本文中以目前主流的N沟道型为例展开介绍。　　N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下。有些等效电路图会更详细一些，但这里为了便于理解，给出的是相对简单的示意图。包括结构在内，实际的产品会更复杂一些。有关结构等的详细内容将在后续文章中介绍。　　　　IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同，集电极和发射极与双极晶体管相同。IGBT与MOSFET一样通过电压控制端口，在N沟道型的情况下，对于发射极而言，在栅极施加正电压时，集电极-发射极导通，流过集电极电流。我们将另行介绍其工作和驱动方法。　　前面已经介绍过，IGBT是结合了MOSFET和双极晶体管优点的晶体管。MOSFET由于栅极是隔离的，因此具有输入阻抗高、开关速度较快的优点，但缺点是在高电压时导通电阻较高。双极晶体管即使在高电压条件下导通电阻也很低，但存在输入阻抗低和开关速度慢的缺点。通过弥补这两种器件各自的缺点，IGBT成为一种具有高输入阻抗、高开关速度*(开关速度比MOSFET慢，但比双极晶体管快)，即使在高电压条件下也能实现低导通电阻的晶体管。　　IGBT和MOSFET等功率器件根据应用产品的使用条件和需求，物善其用，在与其相适合的应用中被区分使用，比如在高电压应用中使用IGBT，在低电压应用中则使用MOSFET。IGBT的适用范围和应用领域将在后续文章中进行介绍。　　IGBT的应用范围　　IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET和双极晶体管等功率元器件应根据其特点物善其用。此外，功率元器件除了以元器件单品(分立半导体)的形式使用外，将元器件与其他基本部件组合在一起的模块形式也被广泛使用。　　下面是从输出容量和工作(开关)频率的角度出发列出的IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET和双极晶体管的适用范围。另外，还对分立产品和模块进行了分类。从输出容量和工作频率的角度看各种功率元器件的适用范围(示意图)　　IGBT分立产品覆盖1kHz～50、60kHz的频率范围、稍高于1kVA的输出容量范围IGBT模块的话，根据与其他部件的组合等情况，工作频率上限程度相同，但输出容量范围可高达100MVA以上。随着输出容量的增加，工作频率会因为开关损耗等的限制而降低。　　通过这张图，应该可以对每种功率元器件的特点和适用范围有一个整体印象了。　　IGBT的应用示例　　下图从输出容量和工作频率的角度，列出了IGBT分立产品和模块以及Si MOSFET分立产品的适用范围，以及在适用范围内的适用应用产品示例。应用范围和上一篇文章中给出的范围是一样的，下图中列出了相应范围内的具体应用产品。　　从图中可以看出，有些应用产品在重叠范围中，但在处理高电压大电流的电车和HEV/EV领域，主流产品还是IGBT模块。分立式IGBT和Si MOSFET在家电和小型工业设备等应用中的需求很大，主要根据工作频率方面的优点来区分使用。从输出容量和工作频率的角度看各种功率元器件适用范围和应用产品(示意图)　　正如在 “什么是 IGBT “一文中所解释的，IGBT 是一种功率晶体管，它将 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性结合在一起。我们将以目前主流的 N 沟道 IGBT 的基本结构为例进行说明。此后，仅提及 IGBT 时，基本上都是指 N 沟道类型。　　IGBT的结构　　为了便于理解IGBT半导体的结构，我们首先来回顾一下电路图符号、简单的等效电路以及IGBT的基本工作。　　IGBT有栅极、集电极、发射极三个引脚，可以认为，栅极与MOSFET的栅极相同，集电极和发射极与双极晶体管相同。在N沟道IGBT的情况下，IGBT与MOSFET一样，通过电压控制元件相对于发射极在栅极施加正栅极电压VGE时，集电极-发射极之间导通，流过集电极电流IC。　　下面是表示IGBT半导体结构的示意图(截面图)和等效电路图。为便于理解而进行了简化。蓝色箭头表示集电极电流IC的流动情况。我们与旁边的等效电路图比较来看。　　　　如图所示，在Nch MOSFET的漏极侧形成了P+集电极层，从集电极到发射极是P型-N型-P型-N型排列的结构。　　等效电路图中的Nch MOSFET的漏极和PNP晶体管的基极都相当于IGBT的N-漂移层。栅极是绝缘膜上的薄膜布线，Nch MOSFET的栅极=IGBT的栅极。IGBT的发射极为N+层，与Nch MOSFET的源极相对应。PNP晶体管的集电极为P+，与IGBT的发射极N+层相连接。PNP晶体管的发射极是P+层，相当于IGBT的集电极。　　虽然这些有关IGBT的内容听起来有些复杂，但是如果将IGBT的结构用示意图体现出来，就很容易理解IGBT的等效电路图了。　　IGBT的工作原理　　下面用下列等效电路和截面结构图来说明IGBT的工作原理。　表示IGBT工作原理的等效电路和截面结构示意图　　当向发射极施加正的集电极电压VCE，同样向发射极施加正的栅极电压VGE时，IGBT导通，集电极和发射极之间导通，流过集电极电流IC。　　将这个动作对应于等效电路时，即当施加正VGE时，Nch MOSFET导通，这会使基极电流IB流过PNP晶体管，最终，PNP晶体管导通，从而使IC从IGBT的集电极流向发射极。　　截面结构图中显示了内部电子和空穴(电洞)的运动情况。当向栅极施加正VGE时，电子⊖聚集在栅极电极正下方的P+层中并形成沟道。这与MOSFET导通的原理基本相同。因此，从IGBT的发射极供给的电子沿N+层⇒沟道⇒ N-漂移层 ⇒ P+集电极层的方向移动。而空穴(电洞)⊕则由P+集电极层提供给N-漂移层。该层之所以被称为“漂移层”，是因为电子和空穴两者的载流子都会移动。也就是说，电子从IGBT发射极向IGBT集电极的移动意味着电流(IC)从IGBT集电极流向IGBT发射极。　　IGBT的特点：与MOSFET和双极晶体管的比较　　在需要功率晶体管的应用中，需要了解每种功率晶体管，例如IGBT、MOSFET、双极晶体管的优缺点并区分使用。现将每种功率晶体管的特点总结如下。　　※◎、○、△为相对比较示意图标　　●MOSFET　　MOSFET是由电压驱动的，输入阻抗较高，因此控制时消耗的功耗较少。另外，由于是电子或空穴一种载流子的单极晶体管，所以具有开关速度快的优点。但是，与双极晶体管不同的是，不能利用电导调制效应(Webster效应)，因此存在导通电阻随耐压增加而增加的缺点。　　●双极晶体管　　双极晶体管具有高耐压且导通电阻*低的优点。双极晶体管具有可利用电导调制效应抑制压降的特点。电导调制效应是在晶体管工作过程中空穴和电子一起移动，空穴注入到N-层，从而使其电阻减小。此外，由于双极晶体管会进行电流放大工作，因此允许流过比所施加电流更大的电流。缺点是输入阻抗低，控制时所消耗的功耗大，而且由于使用的是两种极性的载流子，所以开关速度较慢。　　*参数为“饱和电压”。　　●IGBT　　IGBT是输入部分为MOSFET结构、输出部分为双极结构的复合型器件，同时具备MOSFET和双极晶体管两者的优点。输入阻抗高，可以用小功率驱动，并且可以将电流放大为大电流。此外，即使在高耐压条件下，导通电阻*也可保持在较低水平。开关速度不如MOSFET快，但比双极晶体管要快。　　*参数为“饱和电压”。　　IGBT的特点：与MOSFET和双极晶体管的比较总结　　本文对MOSFET、双极晶体管和IGBT进行了比较。IGBT具有耐压高、损耗低、速度较快等优点，但每种晶体管都有其优点，所以基本上还是需要根据应用产品来区分使用。关于各种功率晶体管的适用范围及区分使用方法，请参考“IGBT的适用范围”和“使用了IGBT的应用产品”。　　电机应用中的功率器件的区分使用　　下图与“IGBT的适用范围”一文中使用的图相同，图中根据不同功率器件的特点列出了不同工作频率和输出容量(VA)下的适用范围。对IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET的分立器件覆盖的面积进行比较后，可以汇总如下。当然，由于每种功率元器件都是多样化的，所以这里是基于通常的概括性特点进行汇总的。　　在IGBT与Si MOSFET的比较中，IGBT覆盖输出容量大的低频区域，Si MOSFET覆盖输出容量小的高频区域。　　在IGBT与SiC MOSFET的比较中，SiC MOSFET覆盖输出容量大的高频区域。　　Si MOSFET与SiC MOSFET覆盖的频率范围相同，但Si MOSFET覆盖低输出容量区域，而SiC MOSFET则覆盖高输出容量区域。　IGBT的适用范围　　下图更具体地列出了这些特点，并给出了在电机应用中区分使用它们时的要点。从正确区分使用的角度来看，不同条件下的损耗差异是非常重要的。损耗分导通损耗和开关损耗来考虑。下图中的IGBT、SiC MOSFET、Si MOSFET都是分立器件，“+SBD”和“+FRD”表示外置对应的分立二极管。　　在导通损耗方面，如果流过的电流约在5A以下的范围，Si MOSFET优于IGBT，但在5A以上时IGBT表现更出色。该电流区域未被SiC MOSFET覆盖，因此通常考虑采用IGBT或Si MOSFET。Si MOSFET在以小电流运行的系统中占优势，比如家用空调的室外机等在轻负载时正常稳定运行占比多的应用。这也与上述①中的IGBT和Si MOSFET的覆盖范围比较结果一致。　　关于开关损耗，随着PWM频率(开关频率)变快，在IGBT+FRD(快速恢复二极管)和SiC MOSFET+SBD(肖特基势垒二极管)之间的比较中，SiC MOSFET+SBD更具优势，与上述②中的比较结果一致。这是由于受IGBT+FRD的特点——导通时的反向恢复电流和关断时的尾电流的影响。SiC MOSFET+SBD因其不会流过尾电流而使开关损耗得以显著改善。　　但是，对于电机应用而言，普通的电机多在20kHz以下的较低频率下使用，加上SiC MOSFET在成本方面不占优势，所以目前SiC MOSFET多在特殊应用中使用。在当今的电机应用中，考虑到性能、损耗和成本之间的平衡，IGBT是主流。　　综上所述，我们探讨了每种功率器件的特点以及包括成本在内的考量，最终需要根据应用的需求选择合适的产品。在包括逆变器在内的电机驱动应用中，除了上述的“IGBT分立器件+FRD”示例外，被广泛使用的还有面向电机应用的FRD内置型IGBT分立器件和IGBT IPM(智能功率模块)。　　综合来看，IGBT 凭借高耐压、低导通损耗、驱动简单、性价比均衡的综合优势，至今仍是电机驱动、逆变器等大功率场景的主流选择，而选型时需要结合工作电流、开关频率、损耗指标、成本预算综合判断，搭配分立 IGBT、内置 FRD 的 IGBT 或是 IPM 智能功率模块，适配不同方案需求。如果您有 ROHM IGBT 相关选型、参数核对、样品与批量供货需求，欢迎联系 AMEYA360，依托 ROHM 原厂技术资源，我们将为您提供专业的器件推荐、技术资料支撑和稳定的元器件供应服务。

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-11-05 09:13 阅读量：228 继续阅读>>

<span style='color:red'>ROHM</span>开发出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器IC

行业新闻

ROHM开发出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器IC

　　2026年10月29日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，开发出有助于实现小型高效率AC-DC电源的Totem Pole PFC*1(图腾柱PFC，以下简称“TP-PFC”)控制器IC“BM85060FV”，其特点是可在支持GaN HEMT*2高频开关的MHz频段工作。　　近年来，随着AC适配器、消费电子和小型工业设备的功能日益强大，设备所需电力也不断增加，与此同时，对设备小型化和节能化的要求也越来越高。而且，在能效法规日趋严格的大背景下，不仅要提高产品工作时转换效率，还要降低无负载(空载)时的功耗。在这种情况下，与传统的Si(硅)功率半导体相比，可支持高频开关的GaN HEMT得到了越来越广泛的应用。此外，将GaN HEMT与TP-PFC电路相结合的电源，因其能显著降低功率损耗而被寄望成为追求高效率和小型化设备的有力电源解决方案。另一方面，传统的TP-PFC控制技术广泛使用MCU，但对于小型电源设备而言，除了功耗、电路规模和成本方面的挑战外，如何实现针对GaN HEMT高频开关的控制也成为亟需解决的难题。　　针对这些课题，ROHM开发出能够以低功耗控制采用了GaN HEMT的TP-PFC电路、并支持MHz频段高频开关的专用控制器IC“BM85060FV”。新产品可在AC适配器、投影仪等消费电子设备及小型工业设备所用的300~500W级AC-DC电源中，在系统层面实现高达99%的转换效率。这不仅可抑制功率损耗和发热量，还能通过提高开关频率实现外围元器件的小型化，从而有助于电源电路更加节省空间。　　另外，还实现了仅150μA的空载电流，与普通品相比降低了70%*。因此，使用该产品更容易降低系统的待机功耗，有助于构建满足DoE Level7*3和CoC Tier2*4节能要求的电源系统。　　不仅如此，新产品还内置防雷击浪涌电路等AC-DC电源所需的各种保护功能，有助于减轻设计负担并提高系统可靠性。　　新产品已于2026年10月开始销售(样品价格670日元/个，不含税)，并已开始网售(330W预设配置产品)，客户可通过AMEYA360购买。另外，ROHM还准备了搭载“BM85060FV”的330W输出TP-PFC评估板，为采用GaN HEMT的高效率AC-DC电源开发提供支持。　　未来，ROHM将继续通过提供以GaN HEMT为首的功率半导体，以及与模拟IC相结合、能够更大程度地激发其性能的功率电子解决方案，为电子设备进一步降低功耗和小型化贡献力量。　　*截至2026年10月27日ROHM调查数据　　<应用示例>　　非常适用于AC适配器、投影仪等消费电子设备，以及小型工业设备等以300～500W级功率为主的小型高效率AC-DC电源。　　<术语解说>　　*1)Totem Pole PFC(TP-PFC)　　在AC-DC电源中，为了高效利用输入电源提供的电力所采用的一种PFC(Power Factor Correction：功率因数校正)电路方式。通过用开关器件替换传统PFC电路中使用的二极管整流桥，可降低导通损耗。　　*2) GaN HEMT　　GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。　　与普通的半导体材料Si(硅)相比，其物性更优异，开关速度更快，支持高频率工作。　　HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。　　*3)DoE Level7　　美国DoE(Department of Energy，美国能源部)针对电子设备外部电源实施的能效要求。对工作时的功率转换效率及无负载时的功耗制定了严格的标准，要求相应产品具备高节能性能。　　*4)CoC Tier2　　针对电子设备外部电源实施的欧盟CoC(Code of Conduct：行为准则)能率要求。对工作时的功率转换效率及无负载时的功耗制定了严格的标准，要求相应产品具备高节能性能。

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-11-02 13:05 阅读量：338 继续阅读>>

明天15点开播！AMEYA360×<span style='color:red'>ROHM</span>：AI 服务器电源技术专场，海量好礼等你拿！

行业新闻

明天15点开播！AMEYA360×ROHM：AI 服务器电源技术专场，海量好礼等你拿！

　　AI 算力爆发，服务器功耗持续飙升，下一代800V/±400VDC 高压直流供电架构成为行业大势;工业机器人、自动化设备对电源器件效率、可靠性提出严苛考验。　　AMEYA360 联合 IDM 大厂ROHM 罗姆，带来专场技术直播，深度拆解 Power Rack AI 服务器电源完整解决方案，同时分享功率器件在机器人领域落地实践，工程师不要错过!　　扫描海报二维码即可预约直播，直播间福利多多，多重好礼等你拿!　　直播信息　　直播时间　　10 月 30 日 15:00‑17:00 　　直播嘉宾　　AMEYA360 PM Dean(主持人)　　ROHM FAE Musk(原厂技术分享)　　直播核心看点　　AI 时代功耗危机　　AI 服务器耗电量激增背景，传统电源架构瓶颈解析　　下一代供电演进　　800V 总线高压直流架构优势，降低线缆损耗、减重降铜材成本，DC‑Grid 可再生能源适配方案　　ROHM Power Rack 完整方案　　IDM 垂直整合优势，SiC MOSFET、GaN HEMT、模拟驱动 IC、分流电阻器全器件矩阵 ✅GPU 功耗迭代趋势：面向 1MW 高功率机架的电源系统设计思路　　拓展应用　　功率半导体在工业机器人、自动化装备的实际市场应用　　在线答疑　　设计难题现场问诊，和原厂 FAE 面对面交流　　直播间福利　　直播互动抽奖，电子周边、礼品等多重好礼等你来!　　各位工程师朋友，为了确保中奖后奖品能顺利派发，请记得在参与直播抽奖前花 30 秒填写下方的【登记表】。建议大家现在就可以提前填写锁定资格，这样中奖后小助手就能第一时间为您安排奖品寄送啦!　　在登记表下方，我们为大家同步推荐了【ROHM官方技术论坛(ESH)】。接下来，为大家详细介绍一下这个极具含金量的原厂级技术交流平台：　　什么是ROHM官方技术论坛(ESH)?　　ROHM官方技术论坛(ESH)是罗姆半导体专为电子工程师打造的官方线上技术支持与交流平台。平台汇集海量原厂技术白皮书、应用指南及仿真设计资料，并有罗姆原厂专家在线提供权威的技术答疑与选型支持，助力工程师攻克研发难题，加速产品设计落地。　　如何注册/登录ROHM官方技术论坛(ESH)?　　工程师可通过以下步骤注册 / 登录：　　PC 端入口：　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703　　移动端入口：　　1、点链接进入主页(图 1)点击右上角注册&登录　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703图1　　2、跳转到(图 2)，点击新用户注册&登录图2　　3、这个页面比较长要往下滑动才看得到注册按钮，找到注册按钮点击(不要直接填写邮箱登录)　　4、密码要设置的比较复杂，最好设置自己能记住的 (最后登录时需要输入密码) , 行业选项无法选中，可忽略不填　　　5、提交信息后，去注册邮箱收激活账号的邮件，点击链接激活　　　　6、点击激活链接后，再重新到第一步，点击链接，用邮箱&密码进行登录(必须要登录一次才算有效注册)　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703　　　注：使用 PC 端进行 ESH 注册，邮箱激活后会自动跳转到 ESH 首页并登录，　　若没有自动登录且跳转到首页或显示错误，还需要到首页自行登录一次　　注册完成后必须要登录才算有效注册!!!　　　　　　还没有预约直播的小伙伴，扫描海报二维码完成预约，10 月 29 日 14:00，我们直播间不见不散!

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-10-29 17:08 阅读量：366 继续阅读>>

AMEYA360代理丨<span style='color:red'>ROHM</span> 实战篇：通过驱动器源极引脚改善开关损耗—有驱动器源极引脚的封装、有无驱动器源极引脚的差异及其效果

行业新闻

AMEYA360代理丨ROHM 实战篇：通过驱动器源极引脚改善开关损耗—有驱动器源极引脚的封装、有无驱动器源极引脚的差异及其效果

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-10-29 16:24 阅读量：380 继续阅读>>

AMEYA360代理丨<span style='color:red'>ROHM</span> SiC驱动技术篇：低边 SiC 开关开通 / 关断时，栅源电压如何优化？

行业新闻

AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：低边 SiC 开关开通 / 关断时，栅源电压如何优化？

　　本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况和LS关断时的动作情况。　　SiC MOSFET低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作　　当SiC MOSFET的LS导通时，首先ID会变化(下述波形示意图T1)。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动，受下述等效电路图中所示的事件(I)影响，在图中所示的极性产生公式(1)的电动势。公式(1)与上一篇文章中使用的公式相同。该电动势引起的电流将源极侧作为正极对CGS进行充电，因此在LS会将VGS向下推，在HS会将VGS向负极侧拉，使之产生负浪涌(波形示意图VGS的T1)。　　当ID的变化结束时，LS的VDS的电位降低(波形示意图T2)。所以，公式(2)中的电流就像等效电路图中的(II)-1、(II)-2那样流动，并且VGS会分别引发下列公式(3)、(4)中的电压上升。　　VDS刚刚开始变化后，公式(3)的VGS上升为主，随着时间的推移，公式(4)的VGS也开始上升。也就是说，MOSFET的CGD/CGS比、驱动电路的RG_EXT、栅极驱动信号图形布线的电感值LTRACE具有很大影响。　　如等效电路图所示，HS中的(II)-2的电流ICGD2处于VGS提升方向。因此，本来应该处于OFF状态的HS因VGS的提升而开始了导通工作。这种现象称为“误启动”。当HS发生误启动时，就会与LS的导通工作重叠，致使HS和LS的MOSFET同时导通，从而引发直通电流。　　ICGD2会持续流动到LS的导通工作结束，并被积蓄在LTRACE中，但会在VSW变化结束的时间点消失，LTRACE产生电动势。这就是事件(III)。受RG_EXT等开关条件影响，ICGD2可能会达到几安培，并且该电动势可能会增加。　　受上述事件(I)、(II)、(III)的影响，LS导通后的Gate-Source电压呈现出波形示意图中所示的动作。波形示意图和等效电路图的相同编号表示同一事件。另外，图中VGS的虚线波形表示理想的波形。　　外置栅极电阻的影响　　下面是SiC MOSFET桥式结构的LS导通时的双脉冲测试结果。(a)波形图的外置栅极电阻RG_EXT为0Ω，(b)为10Ω。图中的(I)、(II)、(III)同前面相应编号的事件。　　VDS刚刚开始变化后，公式(3)的VGS上升为主，随着时间的推移，公式(4)的VGS也开始上升。也就是说，MOSFET的CGD/CGS比、驱动电路的RG_EXT、栅极驱动信号图形布线的电感值LTRACE具有很大影响。　　如等效电路图所示，HS中的(II)-2的电流ICGD2处于VGS提升方向。因此，本来应该处于OFF状态的HS因VGS的提升而开始了导通工作。这种现象称为“误启动”。当HS发生误启动时，就会与LS的导通工作重叠，致使HS和LS的MOSFET同时导通，从而引发直通电流。　　ICGD2会持续流动到LS的导通工作结束，并被积蓄在LTRACE中，但会在VSW变化结束的时间点消失，LTRACE产生电动势。这就是事件(III)。受RG_EXT等开关条件影响，ICGD2可能会达到几安培，并且该电动势可能会增加。　　受上述事件(I)、(II)、(III)的影响，LS导通后的Gate-Source电压呈现出波形示意图中所示的动作。波形示意图和等效电路图的相同编号表示同一事件。另外，图中VGS的虚线波形表示理想的波形。　　外置栅极电阻的影响　　下面是SiC MOSFET桥式结构的LS导通时的双脉冲测试结果。(a)波形图的外置栅极电阻RG_EXT为0Ω，(b)为10Ω。图中的(I)、(II)、(III)同前面相应编号的事件。　　dVDS/dt带来的LS的VGS上升和HS的VGS负浪涌(波形示意图T4)是事件(IV)。　　波形示意图的T4周期结束时，公式(1)所示的ICGD1消失时发生的浪涌是事件(V)。公式(1)与之前使用的公式相同。　　然后，漏极电流发生变化(波形示意图T6)，并发生公式(2)所示的LSOURCE引起的电动势，电流如等效电路的事件(VI)中所示流动。公式(2)也与之前使用的公式相同。　　可以看出的动作是，由于该电流以源极侧为负极向MOSFET的CGS充电，因此在HS侧将VGS推高，在LS侧将VGS向正极侧拉升，以防止VGS下降。结果就产生了波形示意图所示的VGS动作。波形示意图中VGS的虚线表示理想的电压波形。　　外置栅极电阻的影响　　下面是SiC MOSFET桥式结构的LS关断时的双脉冲测试结果。(a)波形图的外置栅极电阻RG_EXT为0Ω时，(b)为10Ω。图中的(IV)、(V)、(VI)即前面提到的事件。　　如波形图所示，可以看到事件(V)的浪涌非常明显。　　尽管由VDS的变化引起的事件(IV)的影响很小，但由于HS中事件(IV)引起的负浪涌常常会超过额定值，在这种情况下，就需要对电路采取相应的措施。要想减少这种关断时的HS负浪涌，需要减小HS栅极电阻RG_EXT。然而，需要注意的是，在前文介绍过的常用栅极电阻调节电路中，事件(IV)在电阻值高的RG_ON侧较为突出。　　关于由事件(VI)引起的VGS抬升，由于该时刻正好在关断(Turn-off)结束之前，所以即使HS进入导通(Turn-on)动作，SiC MOSFET桥式结构的LS也已经被关断，几乎不会造成什么问题。

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-10-28 13:22 阅读量：346 继续阅读>>

AMEYA360代理丨<span style='color:red'>ROHM</span> 实战篇：通过驱动器源极引脚改善开关损耗—传统的MOSFET驱动方法

行业新闻

AMEYA360代理丨ROHM 实战篇：通过驱动器源极引脚改善开关损耗—传统的MOSFET驱动方法

　　MOSFET和IGBT等功率开关器件被广泛应用于各种功率转换应用中。需要尽可能地降低MOSFET和IGBT等开关器件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用其降低损耗的方法也不尽相同。　　近年来，出现了一种可以改善损耗的方法，那就是带有驱动器源极引脚(所谓的开尔文源极引脚)的新封装。在“通过驱动器源极引脚改善开关损耗”系列文章中，将为您介绍功率开关产品封装具有驱动器源极引脚的效果以及使用注意事项。　　传统的MOSFET驱动方法　　MOSFET和IGBT等电源开关器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。需要尽可能地降低这种开关器件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用其降低损耗的方法也不尽相同。近年来，发现有一种方法可以改善MOSFET和IGBT等的开关损耗问题，那就是带有驱动器源极引脚(所谓的开尔文源极引脚)的新封装。在本文——“通过驱动器源极引脚改善开关损耗”中，将介绍功率开关产品具有驱动器源极引脚的效果以及使用注意事项。　　传统的MOSFET驱动方法　　为了便于对驱动器源极引脚进行说明，我们先来了解一下传统的MOSFET驱动方法。　　MOSFET通常为电压驱动型，通过开/关栅极引脚的电压来控制开关工作。下面是传统TO-247N封装(3引脚)MOSFET的常见栅极驱动电路示例。　　驱动电源VG和MOSFET的栅极引脚Gate之间连接外置电阻RG_EXT，用来控制开关速度，但驱动电路中含有PCB版图的电感LTRACE和MOSFET源极引脚Source的封装电感LSOURCE，因此这个参数是需要好好考虑的重要项目。栅极引脚的封装电感包含在LTRACE中，而漏极引脚Drain的电感LDRAIN不包含在栅极驱动电路中，因此在这里省略。　　由于该驱动电路的具体工作是很基本的而且是常见的，因此在此省略相应的介绍，但需要注意的是，由于流过漏极和源极间的漏极电流ID的变化，LSOURCE中会产生电动势VLSOURCE，这一点在以往的开关速度下很容易被忽略。下面是驱动电路的开关工作中的电压施加情况：　　MOSFET被施加VG并导通后，ID増加，LSOURCE沿图中(I)的方向产生VLSOURCE。另一方面，由于电流IG流入栅极引脚，因此在RG_EXT上会产生压降VRG_EXT(I)。这些电压包含在导通时的驱动电路网中，如公式(1)所示，它们使MOSFET的导通动作所需的芯片上的电压VGS_INT减少，最终导致导通速度下降。LTRACE也会产生电动势，但因其非常小而在此省略。　　关断时也是同样的原理，由于公式(1)中的IG和dID/dt为负，因此使RG_EXT和LSOURCE电压上升(II)，VSG_INT增加，导致关断速度下降。　　一般来讲，电源开关元器件的LSOURCE为几nH到十几nH，加上当dID/dt达到几A/ns时可能会产生10V以上的VLSOURCE，这些将对MOSFET开关工作产生很大的影响。　　驱动器源极引脚是通过消除VLSOURCE的影响来改善MOSFET开关速度的。

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-10-27 14:10 阅读量：349 继续阅读>>

直播预告丨AMEYA360×<span style='color:red'>ROHM</span>：AI 服务器电源与机器人应用，同步解锁 <span style='color:red'>ROHM</span> ESH 官方技术论坛

行业新闻

直播预告丨AMEYA360×ROHM：AI 服务器电源与机器人应用，同步解锁 ROHM ESH 官方技术论坛

　　AI 算力爆发，服务器功耗持续飙升，下一代800V/±400VDC 高压直流供电架构成为行业大势;工业机器人、自动化设备对电源器件效率、可靠性提出严苛考验。　　AMEYA360 联合 IDM 大厂ROHM 罗姆，带来专场技术直播，深度拆解 Power Rack AI 服务器电源完整解决方案，同时分享功率器件在机器人领域落地实践，工程师不要错过!　　扫描海报二维码即可预约直播，直播间福利多多，多重好礼等你拿!　　直播信息　　直播时间　　10 月 30 日 15:00‑17:00 　　直播嘉宾　　AMEYA360 PM Dean(主持人)　　ROHM FAE Musk(原厂技术分享)　　直播核心看点　　AI 时代功耗危机　　AI 服务器耗电量激增背景，传统电源架构瓶颈解析　　下一代供电演进　　800V 总线高压直流架构优势，降低线缆损耗、减重降铜材成本，DC‑Grid 可再生能源适配方案　　ROHM Power Rack 完整方案　　IDM 垂直整合优势，SiC MOSFET、GaN HEMT、模拟驱动 IC、分流电阻器全器件矩阵 ✅GPU 功耗迭代趋势：面向 1MW 高功率机架的电源系统设计思路　　拓展应用　　功率半导体在工业机器人、自动化装备的实际市场应用　　在线答疑　　设计难题现场问诊，和原厂 FAE 面对面交流　　直播间福利　　直播互动抽奖，电子周边、礼品等多重好礼等你来!　　各位工程师朋友，为了确保中奖后奖品能顺利派发，请记得在参与直播抽奖前花 30 秒填写下方的【登记表】。建议大家现在就可以提前填写锁定资格，这样中奖后小助手就能第一时间为您安排奖品寄送啦!　　在登记表下方，我们为大家同步推荐了【ROHM官方技术论坛(ESH)】。接下来，为大家详细介绍一下这个极具含金量的原厂级技术交流平台：　　什么是ROHM官方技术论坛(ESH)?　　ROHM官方技术论坛(ESH)是罗姆半导体专为电子工程师打造的官方线上技术支持与交流平台。平台汇集海量原厂技术白皮书、应用指南及仿真设计资料，并有罗姆原厂专家在线提供权威的技术答疑与选型支持，助力工程师攻克研发难题，加速产品设计落地。　　如何注册/登录ROHM官方技术论坛(ESH)?　　工程师可通过以下步骤注册 / 登录：　　PC 端入口：　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703　　移动端入口：　　1、点链接进入主页(图 1)点击右上角注册&登录　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703图1　　2、跳转到(图 2)，点击新用户注册&登录图2　　3、这个页面比较长要往下滑动才看得到注册按钮，找到注册按钮点击(不要直接填写邮箱登录)　　4、密码要设置的比较复杂，最好设置自己能记住的 (最后登录时需要输入密码) , 行业选项无法选中，可忽略不填　　　5、提交信息后，去注册邮箱收激活账号的邮件，点击链接激活　　　　6、点击激活链接后，再重新到第一步，点击链接，用邮箱&密码进行登录(必须要登录一次才算有效注册)　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703　　　注：使用 PC 端进行 ESH 注册，邮箱激活后会自动跳转到 ESH 首页并登录，　　若没有自动登录且跳转到首页或显示错误，还需要到首页自行登录一次　　注册完成后必须要登录才算有效注册!!!　　　　　　还没有预约直播的小伙伴，扫描海报二维码完成预约，10 月 29 日 14:00，我们直播间不见不散!

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-10-26 14:46 阅读量：491 继续阅读>>

AMEYA360代理丨<span style='color:red'>ROHM</span> SiC驱动技术篇：桥式电路的开关产生的电流和电压

行业新闻

AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：桥式电路的开关产生的电流和电压

　　在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET这一系列开关动作中，SiC MOSFET的VDS和ID的变化会产生什么样的电流和电压。　　下面的电路图是SiC MOSFET桥式结构的同步式boost电路，LS开关导通时的示例。电路图中包括SiC MOSFET的寄生电容、电感、电阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的变化带来的各处的栅极电流(绿色线)。　　ID的变化dID/dt所产生的电压　　ID的变化将会产生下述公式(1)所示的电压。　　这是由于存在于SiC MOSFET源极的寄生电感中流过ID而产生的电压，是由电路图中的(I)引起的。该电压会使电流(I’)流过。　　VDS的变化dVDS/dt所产生的电流　　以HS为例，当SiC MOSFET关断、VDS变化时，Gate-Drain寄生电容CGD中会流过电流ICGD。如电路图所示，该电流分为Gate-Source寄生电容CGS侧流过的电流ICGD1：(II)-1和栅极电路侧流过的电流ICGD2：(II)-2。当VDS开始变化时，栅极电路侧的阻抗较大，因此大部分ICGD都在CGS侧，此时的ICGD1如公式(2)所示。　　从公式可以看出，当CGD较大时或CGD/CGS的比值变小时，ICGD1会增加。　　dVDS/dt和dID/dt既可以为正也可以为负，所以因它们而产生的电流和电压的极性在导通(Turn-on)和关断(Turn-off)时是不同的。在下一篇文章中将会进一步详细解说。　　AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持，助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-10-22 10:05 阅读量：441 继续阅读>>

AMEYA360代理丨<span style='color:red'>ROHM</span> SiC驱动技术篇：SiC-MOSFET的桥式结构栅源电压动作解析

行业新闻

AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：SiC-MOSFET的桥式结构栅源电压动作解析

　　从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作”。　　前言　　MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。另外，所使用的电路方式也多种多样，除单独使用外，还有串联连接、并联连接等多种使用方法。　　其中，在将开关元件上下串联连接的桥式结构中，通常交替地导通与关断各个元器件。下面是常规的桥式结构同步方式boost电路，波形图是根据栅极信号交替地导通/关断的低边(LS)MOSFET和高边(HS)MOSFET的漏极-源极间电压(VDS)和漏极电流(ID)示例。　　通过开关工作，流过各元件的电流和变化的电压以复杂的方式相互影响。尤其是在处理高电压高电流的电路中，受安装电路板和结线引起的寄生分量等影响，产生电压和电流的动作，并因此导致工作不稳定、效率下降，从而可能导致损耗增加、产生异常发热等问题。　　近年来，SiC MOSFET等高性能功率元器件的应用，使得通过高速开关转换大功率成为可能，但在操作过程中，需要对开关工作有深入的了解。　　在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。　　SiC MOSFET的桥式结构　　下面给出的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路。该电路中使用的SiC MOSFET的高边(HS)和低边(LS)是交替导通的，为了防止HS和LS同时导通，设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号(VG)时序。　　该电路中HS和LS MOSFET的Drain-Source电压(VDS)和漏极电流(ID)的波形示意图如下。这是电感L的电流处于连续动作状态，即所谓的硬开关状态的波形。　　横轴表示时间，时间范围Tk(k=1～8)的定义如下：　　T1： LS为ON时、MOSFET电流变化的时间段　　T2： LS为ON时、MOSFET电压变化的时间段　　T3： LS为ON时的时间段　　T4： LS为OFF时、MOSFET电压变化的时间段　　T5： LS为OFF时、MOSFET电流变化的时间段　　T4～T6： HS变为ON之前的死区时间　　T7： HS为ON的时间段(同步整流时间段)　　T8： HS为OFF时、LS变为ON之前的死区时间　　本文将针对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。　　SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路　　LS(低边)侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压(VGS)带来的影响时,需要在包括SiC MOSFET的栅极驱动电路的寄生分量在内的等效电路基础上进行考量。　　右图是最基本的栅极驱动电路和SiC MOSFET的等效电路。栅极驱动电路中包括栅极信号(VG)、SiC MOSFET内部的栅极线路内阻(RG_INT)、以及SiC MOSFET的封装的源极电感量(LSOURCE)、栅极电路局部产生的电感量(LTRACE)和外加栅极电阻(RG_INT)。　　关于各电压和电流的极性，需要在等效电路图中，以栅极电流(IG)和漏极电流(ID)所示的方向为正，以源极引脚为基准来定义VGS和VDS。　　SiC MOSFET内部的栅极线路中也存在电感量，但由于它比LTRACE小，因此在此忽略不计。　　导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作　　为了理解桥式电路的Turn-on / Turn-off动作，下面对上一篇文章中提到的桥式电路中各SiC MOSFET的电压和电流波形进行详细说明。下面的波形图与上次的波形图是相同的。我们和前面的等效电路图结合起来进行说明。　　当正的VG被施加给LS侧栅极信号以使LS侧ON时，Gate-Source间电容(CGS)开始充电，VGS上升，当达到SiC MOSFET的栅极阈值电压(VGS(th))以上时， LS的ID开始流动，同时从源极流向漏极方向的HS侧ID开始减少。这个时间范围就是前一篇文章中定义的T1(见波形图最下方)。　　接下来，当HS侧的ID变为零、寄生二极管 Turn-off时，与中间点的电压(VSW)开始下降的同时，将对HS侧的Drain-Source间电容(CDS)及Drain-Gate间电容(CGD)进行充电(波形图T2)。对该HS侧的CDS+CGD充电(LS侧放电)完成后，当LS侧的VGS达到指定的电压值，LS侧的 Turn-on动作完成。　　而Turn-off动作则在LS侧VG OFF时开始，LS侧的CGS蓄积的电荷开始放电，当达到SiC MOSFET的平台电压(进入米勒效应区)时，LS侧的VDS开始上升，同时VSW上升。　　在这个时间点，大部分负载电流仍在LS侧流动(波形图T4)，HS侧的寄生二极管还没有转流电流。LS侧的CDS+CGD充电(HS侧为放电)完成时，VSW超过输入电压(E)，HS侧的寄生二极管Turn-on，LS侧的ID开始转向HS侧流动(波形图T5)。　　LS侧的ID最终变为零，进入死区时间(波形图T6)，当正的VG被印加给HS侧MOSFET的栅极信号时Turn-on，进入同步工作时间(波形图T7)。　　在这一系列的开关工作中，HS侧和LS侧MOSFET的VDS和ID变化导致的各种栅极电流流动，造成了与施加信号VG不同的VGS变化。具体内容将在下一篇文章进行详细说明。　　AMEYA360优势料号　　SCT4018KRC15：　　1200V, 18mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　SCT4026DLLTRDC：　　750V, 61A, 9引脚SMD，沟槽结构，碳化硅(SiC) MOSFET　　SCT4036DLLTRDC：　　750V, 46A, 9引脚SMD, 沟槽结构, SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4045DLLTRDC：　　750V, 37A, 9引脚SMD，沟槽结构，SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4036KRC15：　　1200V, 36mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持，助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-10-20 13:02 阅读量：475 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
备注

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址